ISSN 2687-0568

Лазерная обработка кристаллов оксида галлия при подготовке образцов для микроэлектроники

Авторы
Д.Ю. Панов 1 , В.А. Спиридонов 1 , O.S. Vasilev 2 , П.А. Богданов 1 , D.A. Bauman 1 , А.Е. Романов 1, 3

1 Университет ИТМО, Кронверкский пр., 49, Санкт-Петербург, 197101, Россия

2 ООО «Лазерный центр», ул. Маршала Тухачевского, д. 22, БЦ «Сова», оф. 228-231, Санкт-Петербург, 195067, Россия

3 Changchun University of Science and Technology, Weixing Rd.7089, Changchun, 130022, China

Rev. Adv. Mater. Technol., 2025, vol. 7, no. 3, pp. 198–202
Аннотация

В работе представлены результаты исследования подхода к подготовке образцов объёмных кристаллов оксида галлия методом абляционной лазерной резки. Исследование проводилось на установке «MicroSet» на базе волоконного лазерного источника с длиной волны 1,064 мкм и мощностью 30 Вт. Показана возможность обработки материала лазерным лучом, выбраны оптимальные ширина трохоиды и длительность импульса, а также энергетические характеристики лазерного источника и фокусирующей оптической системы. Показана принципиальная возможность резки кристаллов оксида галлия в различных направлениях, независимо от внутренней структуры, ориентации атомов и их связей в кристаллической решётке.

Ключевые слова
оксид галлия; лазерная абляция; подложки; подготовка образцов
Финансирование

Russian Science Foundation: 24-12-00229; Foreign Experts Key Support Project (Northeast Special Project): D20240015

Ссылки
Том 7, № 3
Страницы 198-202
История
© 2025 ITMO University.
This is an open access article under the terms
of the CC BY-NC 4.0 license.
Metadata is available under the terms of the CC BY 4.0 license