Электроформованные нановолокна на основе оксида галлия: получение и свойства
Аннотация
В настоящее время нановолоконные полупроводниковые материалы, обладающие большой удельной поверхностью и широкой запрещённой зоной, востребованы в современных технологических процессах: от производства оптоэлектронных устройств до фотокаталитических систем. Оксид галлия (Ga2O3) является одним из наиболее подходящих полупроводников для таких материалов благодаря своим уникальным свойствам, широкой запрещённой зоне (~4,8 эВ) и устойчивости к кислотам. В данном исследовании нановолокна Ga2O3 были получены методом электроформования из полимерных растворов на основе поливинилпирролидона. Процесс получения включал два этапа: электроформование нановолокон, содержащих прекурсор оксида галлия, и последующий отжиг для удаления полимера и формирования оксида галлия. Показано влияние температуры отжига на морфологию волокон и их оптоэлектронные свойства. Полученные результаты служат экспериментальной основой для дальнейшей разработки нановолокон на основе оксидов металлов для создания высокоэффективных устройств.
Ключевые слова
электроформование; нановолокна; оксид галлия; распределение по диаметрам; ширина запрещенной зоныФинансирование
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation: FSER-2025-0005
This is an open access article under the terms
of the CC BY-NC 4.0 license.
Metadata is available under the terms of the CC BY 4.0 license