ISSN 2687-0568

Электроформованные нановолокна на основе оксида галлия: получение и свойства

Авторы
А.В. Рыбалка 1 , П.П. Снетков 1 , С.Н. Морозкина 1 , А.Е. Романов 1

1 Институт перспективных систем передачи данных, Университет ИТМО, Кронверкский проспект, д. 49, лит. А, Санкт-Петербург, 197101, Россия

Rev. Adv. Mater. Technol., 2025, vol. 7, no. 2, pp. 105–113
Аннотация

В настоящее время нановолоконные полупроводниковые материалы, обладающие большой удельной поверхностью и широкой запрещённой зоной, востребованы в современных технологических процессах: от производства оптоэлектронных устройств до фотокаталитических систем. Оксид галлия (Ga2O3) является одним из наиболее подходящих полупроводников для таких материалов благодаря своим уникальным свойствам, широкой запрещённой зоне (~4,8 эВ) и устойчивости к кислотам. В данном исследовании нановолокна Ga2O3 были получены методом электроформования из полимерных растворов на основе поливинилпирролидона. Процесс получения включал два этапа: электроформование нановолокон, содержащих прекурсор оксида галлия, и последующий отжиг для удаления полимера и формирования оксида галлия. Показано влияние температуры отжига на морфологию волокон и их оптоэлектронные свойства. Полученные результаты служат экспериментальной основой для дальнейшей разработки нановолокон на основе оксидов металлов для создания высокоэффективных устройств.

Ключевые слова
электроформование; нановолокна; оксид галлия; распределение по диаметрам; ширина запрещенной зоны
Финансирование

Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation: FSER-2025-0005

Ссылки
Том 7, № 2
Страницы 105-113
История
© 2025 ITMO University.
This is an open access article under the terms
of the CC BY-NC 4.0 license.
Metadata is available under the terms of the CC BY 4.0 license