Структурные свойства и морфология тонких пленок β-Ga2O3, полученных на различных подложках золь-гель методом
Аннотация
В данной работе методом золь-гель были получены тонкие плёнки β-Ga2O3 на подложках из сапфира и кварца, а также на буферных слоях Cu-O. С помощью методов рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии и оптической спектроскопии показано, что золь-гель методом могут быть получены плёнки β-Ga2O3 с хорошими оптическими свойствами и кристаллическим качеством. Определенная по методу Тауца энергия оптической запрещенной зоны пленок варьировалась от 4,39 до 4,59 эВ.
Ключевые слова
β-Ga2O3; широкозонный полупроводник; рентгеновская дифрактометрия; тонкие плёнки; золь-гельФинансирование
Научная школа: № 5082.2022.4
This is an open access article under the terms
of the CC BY-NC 4.0 license.
Metadata is available under the terms of the CC BY 4.0 license