ISSN 2687-0568

Структурные свойства и морфология тонких пленок β-Ga2O3, полученных на различных подложках золь-гель методом

Авторы
М.К. Вронский 1 , А.Ю. Иванов 1 , Л.А. Сокура 1 , А.В. Кремлева 1 , D.A. Bauman 1

1 Институт перспективных систем передачи данных, Университет ИТМО, Кронверкский пр., 49, литер А, Санкт-Петербург, 197101, Россия

Rev. Adv. Mater. Technol., 2023, vol. 5, no. 1, pp. 26–32
Аннотация

В данной работе методом золь-гель были получены тонкие плёнки β-Ga2O3 на подложках из сапфира и кварца, а также на буферных слоях Cu-O. С помощью методов рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии и оптической спектроскопии показано, что золь-гель методом могут быть получены плёнки β-Ga2O3 с хорошими оптическими свойствами и кристаллическим качеством. Определенная по методу Тауца энергия оптической запрещенной зоны пленок варьировалась от 4,39 до 4,59 эВ.

Ключевые слова
β-Ga2O3; широкозонный полупроводник; рентгеновская дифрактометрия; тонкие плёнки; золь-гель
Финансирование

Научная школа: № 5082.2022.4

Ссылки
Том 5, № 1
Страницы 26-32
История
© 2023 ITMO University.
This is an open access article under the terms
of the CC BY-NC 4.0 license.
Metadata is available under the terms of the CC BY 4.0 license