ISSN 2687-0568
English

Релаксация напряжений за счет образования дислокаций в орторомбических пленках Ga2O3, полученных на подложках Al2O3

Авторы
А.М. Смирнов 1 , А.Ю. Иванов 1 , А.В. Кремлева 1 , Ш.Ш. Шарофидинов 2 , А.Е. Романов 3

1 Институт перспективных систем передачи данных, Университет ИТМО, Кронверкский пр., 49, литер А, Санкт-Петербург, 197101, Россия

2 Сектор твердотельной электроники ФТИ им. Иоффе РАН, ул. Политехническая, д. 26, Санкт-Петербург, 194021, Россия

3 Сектор теории твердого тела, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Политехническая ул., 26, Санкт-Петербург, 194021, Россия

10.17586/2687-0568-2022-4-3-1-6
Rev. Adv. Mater. Technol., 2022, vol. 4, no. 3, pp. 1–6
Аннотация

Проанализирована предпочтительность образования различных типов дислокаций несоответствия (ДН) в гетероструктурах типа пленка/подложка κ-Ga2O3/α-Al2O3 и κ-(AlxGa1-x)2O3/κ-Al2O3. Рассмотрены две возможные ориентации роста пленок, определяемые углом наклона ϑ, в упомянутых выше гетероструктурах с осями наклона относительно кристаллографических направлений [100] или [010]. Исследованы зависимости критической толщины пленки от угла наклона ϑ при зарождении ДН в рассматриваемых гетероструктурах. Установлено наличие двух особых ориентаций (ϑ ~ 26° для гетероструктуры [100], ϑ ~ 28° для гетероструктуры [010] и ϑ = 90° для обоих типов наклона) гетероструктур κ-Ga2O3/α-Al2O3, при которых образование ДН энергетически невыгодно. Показано, что в гетероструктурах [010] κ-(AlxGa1-x)2O3/κ-Al2O3 образование краевых ДН предпочтительнее, чем в гетероструктурах [100], а для смешанных ДН - наоборот.

 

Ключевые слова
гетероструктуры типа пленка/подложка; оксид галлия; ориентация роста; дислокации несоответствия
Финансирование

Российский научный фонд: проект № 21-79-00211

Ссылки
Том 4, № 3
Страницы 1-6
Файлы
История
Поступила в редакцию:  20 Сентября 2022
Принята:  21 Сентября 2022
Доступна онлайн:  25 Сентября 2022
© 2022 ITMO University.
This is an open access article under the terms
of the CC BY-NC 4.0 license.
Metadata is available under the terms of the CC BY 4.0 license