ISSN 2687-0568
English

Изготовление и испытание подложек, получаемых из объемных кристаллов оксида галлия методом скалывания

Авторы
D.A. Bauman 1 , Д.Ю. Панов 1 , В.А. Спиридонов 1 , В.В. Лундин 2 , С.Н. Родин 2 , Н.Д. Прасолов 2 , А.Л. Колесникова 1, 3

1 Институт перспективных систем передачи данных, Университет ИТМО, Кронверкский пр., 49, литер А, Санкт-Петербург, 197101, Россия

2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, 194021, Россия

3 Institute of Problems of Mechanical Engineering, Russian Academy of Sciences, Bolshoy 61 VO, St. Petersburg 199178, Russia

10.17586/2687-0568-2022-4-3-47-51
Rev. Adv. Mater. Technol., 2022, vol. 4, no. 3, pp. 47–51
Аннотация

В работе предложен метод изготовления подложек оксида галлия из объёмных кристаллов β-Ga2O3 методом скола. На изготовленных подложках методом MOCVD выращены слои β-Ga2O3, β-(AlxGa1–x)2O3 и структуры β-Ga2O3/β-(AlxGa1–x)2O3. Проанализирована морфология поверхности слоёв и режимы роста. Показана принципиальная возможность использования подложек оксида галлия, полученных методом скола, для последующей эпитаксии.

Ключевые слова
оксид галлия; объёмные кристаллы; подложки; MOCVD; морфология поверхности
Финансирование

Научная школа: NSh-5082.2022.4 (Соглашение № 075-15-2022-765 от 12.05.2022)

РФФИ: проект №19-52-80033 BRICS_t.

Ссылки
Том 4, № 3
Страницы 47-51
Файлы
История
Поступила в редакцию:  24 Сентября 2022
Принята:  26 Сентября 2022
Доступна онлайн:  30 Сентября 2022
© 2022 ITMO University.
This is an open access article under the terms
of the CC BY-NC 4.0 license.
Metadata is available under the terms of the CC BY 4.0 license