Current Filamentation and Switching Effect in Chalcogenide Glassy
Semiconductors: A Review
Аннотация
Представлен обзор по эффектам шнурования тока и переключения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (ХСП), являющихся перспективными материалами для создания устройств фазовой памяти. Вначале рассматривается история изучения ХСП и их свойств. Далее обсуждается формирование шнура тока в ХСП и анализируются масштабы тепловыделения в материале, а также геометрическая форма шнура. Наконец, рассмотрены различные гипотезы, разработанные для объяснения эффекта переключения в ХСП. Показано, что наиболее актуальной моделью эффекта переключения в ХСП является модель многофононной туннельной ионизации так называемых «U-минус» центров. Эта модель основана на предположении, что лавинообразное возрастание тока в определенный момент времени связано с массовым туннелированием электронов, находящихся на атомах, причем туннелирование происходит за счет тепловых колебаний атомов.
Ключевые слова
халькогенидные стеклообразные полупроводники; эффект переключения; эффект памяти; шнурование тока
This is an open access article under the terms
of the CC BY-NC 4.0 license.
Metadata is available under the terms of the CC BY 4.0 license