ISSN 2687-0568
English

The Electrical Properties of Schottky Barrier Diode Structures Based on HVPE Grown Sn Dopped Ga2O3 Layers

Авторы
А.Ю. Иванов 1 , А.В. Кремлева 1 , Ш.Ш. Шарофидинов 2

1 Институт перспективных систем передачи данных, Университет ИТМО, Кронверкский пр., 49, литер А, Санкт-Петербург, 197101, Россия

2 Сектор твердотельной электроники ФТИ им. Иоффе РАН, ул. Политехническая, д. 26, Санкт-Петербург, 194021, Россия

https://doi.org/10.17586/2687-0568-2022-4-1-33-38
Rev. Adv. Mater. Technol., 2022, vol. 4, no. 1, pp. 33–38
Аннотация

Статья посвящена анализу электрических свойств барьерных диодных структур Шоттки на основе оксида галлия, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии с использованием подложки Al2O3. Для образцов с различным количеством примеси Sn исследованы: изображения поперечного сечения и поверхности, полученные методом растровой электронной микроскопии; рентгеновские дифрактограммы; вольтамперные характеристики слоев Ga2O3, как с контактными площадками, так и без них. Определена величина оптимального легирования Ga2O3 и установлены параметры обработки поверхности перед нанесением контактных площадок.

Ключевые слова
широкозонные полупроводники; оксид галлия; растровая электронная микроскопия; рентгеновская дифракция; диод Шоттки
Финансирование

Российский научный фонд: проект № 21-79-00211

Ссылки
Том 4, № 1
Страницы 33-38
Файлы
История
Поступила в редакцию:  21 Февраля 2022
Принята:  10 Марта 2022
Доступна онлайн:  31 Марта 2022
© 2022 ITMO University.
This is an open access article under the terms
of the CC BY-NC 4.0 license.
Metadata is available under the terms of the CC BY 4.0 license